HF干法刻蝕工藝
發(fā)表于：2015-01-28 作者：admin 關(guān)注度：564
在微電子組件制作應(yīng)用中，二氧化硅的濕式蝕刻通常采用氣態(tài)氫氟酸溶液加以進(jìn)行。而二氧化硅可與氫氟酸進(jìn)行反應(yīng)，但卻不會蝕刻硅基材及復(fù)晶硅。反應(yīng)式如下： SiO2 + 6HF=H2 + SiF6 + 2H2O。
相比其他液態(tài)氫氟酸氣化或者其他載氣輸運(yùn)模式，SPTS采用以氣態(tài)乙醇作為載氣與氣態(tài)氫氟酸混合后對二氧化硅介質(zhì)進(jìn)行選擇性蝕刻，并及時處理在反應(yīng)過程中出現(xiàn)的水汽，真正做到無水刻蝕。一方面體現(xiàn)出對硅襯底，金屬以及低應(yīng)力氮化硅等都有非常好的選擇性，因為在水汽作用下，金屬等其他材料也會被氫氟酸所腐蝕；另一方面在沒有水汽的環(huán)境中供刻蝕釋放的器件不會出現(xiàn)由于液態(tài)張力而與襯底表面的粘附性失效。
SPTS的HF氫氟酸刻蝕設(shè)備提供多方面的工藝可調(diào)性，客戶可以根據(jù)本身產(chǎn)品的需求在工藝溫度，工藝壓力，各種氣體分壓，各種氣體流量等參數(shù)中選擇最適合的參數(shù)來優(yōu)化產(chǎn)品性能，當(dāng)然在此過程中SPTS也會派遣最有經(jīng)驗的工程師與客戶一起合作進(jìn)行工藝開發(fā)。
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