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WaferEtch TSVReveal創(chuàng)新晶片加工解決方案

發(fā)表于：2017-07-31  作者：3135019  關(guān)注度：211

Veeco精密表面處理 - WaferEtch

采用 TSV Reveal 的創(chuàng)新晶片加工解決方案

精密表面處理的單晶片濕法蝕刻技術(shù)可實現(xiàn)多個工藝級別的均勻選擇性蝕刻，且絕無交叉污染。日?？色@得比 1% 更理想的蝕刻一致性。無論先進封裝還是 FEOL/BEOL 濕法蝕刻，WaterEtch™ 系統(tǒng)均可以最低的生產(chǎn)成本實現(xiàn)最高產(chǎn)量的工藝。在活性、背面和/或斜角區(qū)域需要蝕刻結(jié)構(gòu)或薄膜時，WaferEtch 系統(tǒng)可提供久經(jīng)驗證的技術(shù)解決方案。

TSV 露出器

作為 WaferEtch 平臺的旗艦產(chǎn)品，TSV 露出器進行了特別配置以滿足晶片薄化以露出互鎖裝置的工藝要求。這已成為 2.5D 和 3D-IC 封裝制造的關(guān)鍵步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)工藝控制并降低成本。TSV 露出器可取代干法蝕刻所需的四種工具：CMP、等離子蝕刻、硅厚度測量以及晶片清洗。蝕刻系統(tǒng)中的集成式厚度測量傳感器可對晶片蝕刻過程進行閉環(huán)控制。TSV 露出器實現(xiàn)了 CoO 的明顯減少，使 3D TSV 更加經(jīng)濟可行。

功能：

應(yīng)用領(lǐng)域：

金屬/UBM/RDL 蝕刻

金屬經(jīng)過濕法蝕刻具有單晶片的精度和重復(fù)性，初始一致性通常低于 3%，然后優(yōu)化至晶片內(nèi)和晶片間一致性均達到 1% 以上。精密表面處理的 WaferChek® 系統(tǒng)可提供原位自適應(yīng)工藝控制，通過晶片的光學(xué)特性來管理濕法蝕刻工藝。

功能：

應(yīng)用領(lǐng)域：

介電層蝕刻

功能：

應(yīng)用領(lǐng)域：

商家資料

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價格和優(yōu)惠

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