AWB具有執(zhí)行對齊功能:

陽極，共晶，直接(高溫和低溫)玻璃熔塊，粘合劑，焊料和熱壓晶片焊接。

新的“無粘合劑”臨時粘接

在一臺機器上對中和粘接

?In-situ 對齊 accuracy.  1 微米

?10-6mbar Vacuum 2 條 過程 ?特高壓選項

?Voltage 2.5 kV. 

?Temperature 560 ° C. 

?Forces 40 kN. 

結(jié)合 周期 / 高 throughput.  ?Market 領(lǐng)先 快

2 “ 8 ".  ?Wafer 大小

In-situ UV cure. 

自動PC控制和數(shù)據(jù)采集

實時控制所有鍵參數(shù)或全自動配方。所有的鍵合參數(shù)，如電流、電壓、集成電荷、溫度、室壓、力、晶圓分離、運行參數(shù)、配方、SPC晶圓批號、事件日志等，都自動存儲在文件中，用于圖形繪制和趨勢分析。機器也可以聯(lián)網(wǎng)，并由AML遠程詢問，以幫助發(fā)現(xiàn)故障。全自動配方，包括在生產(chǎn)環(huán)境中自動對齊除霧操作。

對齊方式:

手動和自動對齊。原位對齊比其他焊接(在粘結(jié)室外進行對齊)具有優(yōu)勢。'一鍵'對齊和鍵合。可見光和紅外光譜。廣泛間隔的三維對齊標記的圖像捕獲。

校準可進行熱或冷:

這消除了由于熱膨脹和晶圓片、機器部件和壓板之間的不匹配而導致的對準誤差。

大晶片分離:

允許晶圓片之間存在較大的溫差，這是通過工藝氣體(如成形氣體)更好地活化或原位氧化還原晶圓片的理想選擇。也允許快速，高真空和良好定義的焊接環(huán)境。

現(xiàn)場系統(tǒng):

還可以在粘接過程之前直觀地確認所需的對齊仍在進行中。

晶片尺寸:

2 "， 3"， 4"， 5 "， 6 "和8 "。(芯片和形狀奇怪的基板，但沒有對齊)。

機械手:

使晶圓片在真空和高溫下能夠原位對準。

接觸力:通過手動或電動液壓提供，最大可達40kN。

精密晶圓平行度調(diào)整。

1μm對準精度。

光學:

雙顯微鏡-通過鏡頭照明的照相機系統(tǒng)。兩個CCD相機并排顯示圖像。包括紅外功能。同時顯示晶圓片的分離力和鍵合力，實現(xiàn)對中控制。

成鍵

環(huán)境:

真空，或工藝氣體。全自動干式渦輪泵送系統(tǒng)~ 1x10- 6mbar至2bar絕對壓力。特高壓選項

溫度:

上下壓板均可獨立調(diào)節(jié)，在1°C的步驟。加熱和冷卻速度可編程。最高溫度是560℃。

電極(陽極鍵合):

全尺寸加熱板，用于上下電極，以獲得更好的粘結(jié)均勻性。0-2.5千伏直流可達40毫安。恒流或恒壓運行，改善過程控制和應力管理。

AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圓片和芯片

AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片

其他選項:

?Auto alignment. 

?Triple 堆棧 結(jié)合 tool. 

?Powered lid. 

?Pressure control. 

?CMOS compatible. 

?High 精度 系統(tǒng) 1 μm alignment. 

低溫 激活 bonding.  ?RAD 工具

?In-situ UV Cure. 

?Motorised X, Y, ? & Z movement. 

?Image capture. 

?Process support.