技術(shù)指標(biāo)
配置 測(cè)試范圍 測(cè)試參數(shù) 條件 范圍
電壓
1000V IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V
100-1000V±3%±5V
1000-4500V±3%±10V
電流
200A MOSFETs
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA
100mA-2A±3%±5mA
2A-200A±3%±50mA
DIODEs
二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J
100J-500J±3%±5J
500J-2000J±3%±10J
PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測(cè) 50mV/A(取決于傳感器)
感性負(fù)載 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
重復(fù)間隙時(shí)間 1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次