網(wǎng)站首頁

中|EN

當前位置: 首頁 » 設備館 » 半導體測試設備 » 電學性能測試 » 二極管測試儀 »美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀
    •
    包郵 關注:357

    美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

    產(chǎn)品品牌

    易恩電氣

    規(guī)格型號：

    800×800×1800（mm）

    發(fā)貨期限：

    30天天

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-陜西省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥188.00
    交易保障 擔保交易 網(wǎng)銀支付
    • 商品詳情
    • 商品參數(shù)
    • 評價詳情(0)
    • 裝箱清單
    • 售后保障

    品牌：易恩電氣

    型號：800×800×1800（mm）

    所屬系列：半導體測試設備-電學性能測試-二極管測試儀

     美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

    西安廠家直供大功率MOS動靜態(tài)測試系統(tǒng)

    規(guī)格環(huán)境

    A.  環(huán)境溫度：    25±10℃，

    B． 相對濕度：   濕度不大于65%

    C.  大氣壓力：    86Kpa～ 106Kpa

    D.  工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%

    E． 電網(wǎng)頻率：    50Hz±1Hz

    F.  壓縮空氣：   0.4～0.6Mpa

    G.  防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

    功能簡介

    此設備具有以下測試單元。注：開關時間，二極管反向恢復，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。

    開關時間測試單元

    開啟延遲時間（Td(on)）     上升時間（Tr）

    關斷延遲時間（Td(off)）    下降時間（Tf）

    開啟損耗Eon              關斷損耗Eoff

    二極管反向恢復測試單元

    反向恢復時間（Trr）       反向恢復電荷（Qrr）

    柵極電荷測試單元

    閾值電荷（Qg（th））      柵電荷（Qg）

    靜態(tài)全參數(shù)測試單元

    RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

    雪崩測試單元

    雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)

    測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)

    參數(shù)名稱

    符號

    參數(shù)名稱

    符號

    開通延遲時間

    td(on)

    關斷延遲時間

    td(off)

    上升時間

    tr

    下降時間

    tf

    開通時間

    ton

    關斷時間

    toff

    開通損耗

    Eon

    關斷損耗

    Eoff

    柵極電荷

    Qg

    拖尾時間

    tz

     

    測量的DIODE動態(tài)參數(shù)

    參數(shù)名稱

    符號

    參數(shù)名稱

    符號

    反向恢復時間

    trr

    反向恢復電荷

    Qrr

     

    咨詢

    購買之前，如有問題，請向我們咨詢

    提問:
     

    應用于半導體行業(yè)的相關同類產(chǎn)品：

    服務熱線

    4001027270

    功能和特性

    價格和優(yōu)惠

    微信公眾號