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    包郵 關(guān)注:377

    美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

    產(chǎn)品品牌

    易恩電氣

    規(guī)格型號：

    800×800×1800（mm）

    發(fā)貨期限：

    30天天

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-陜西省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥188.00
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    品牌：易恩電氣

    型號：800×800×1800（mm）

    所屬系列：半導(dǎo)體測試設(shè)備-電學(xué)性能測試-二極管測試儀

     美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

    西安廠家直供大功率MOS動靜態(tài)測試系統(tǒng)

    規(guī)格環(huán)境

    A.  環(huán)境溫度：    25±10℃，

    B． 相對濕度：   濕度不大于65%

    C.  大氣壓力：    86Kpa～ 106Kpa

    D.  工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%

    E． 電網(wǎng)頻率：    50Hz±1Hz

    F.  壓縮空氣：   0.4～0.6Mpa

    G.  防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

    功能簡介

    此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。

    開關(guān)時間測試單元

    開啟延遲時間（Td(on)）     上升時間（Tr）

    關(guān)斷延遲時間（Td(off)）    下降時間（Tf）

    開啟損耗Eon              關(guān)斷損耗Eoff

    二極管反向恢復(fù)測試單元

    反向恢復(fù)時間（Trr）       反向恢復(fù)電荷（Qrr）

    柵極電荷測試單元

    閾值電荷（Qg（th））      柵電荷（Qg）

    靜態(tài)全參數(shù)測試單元

    RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

    雪崩測試單元

    雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)

    測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)

    參數(shù)名稱

    符號

    參數(shù)名稱

    符號

    開通延遲時間

    td(on)

    關(guān)斷延遲時間

    td(off)

    上升時間

    tr

    下降時間

    tf

    開通時間

    ton

    關(guān)斷時間

    toff

    開通損耗

    Eon

    關(guān)斷損耗

    Eoff

    柵極電荷

    Qg

    拖尾時間

    tz

     

    測量的DIODE動態(tài)參數(shù)

    參數(shù)名稱

    符號

    參數(shù)名稱

    符號

    反向恢復(fù)時間

    trr

    反向恢復(fù)電荷

    Qrr

     

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