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系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)作為功率開關(guān)器件,具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn),
但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜,IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究,在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
測試參數(shù) VF |
0.01~20V 0.01~10V±3%±0.01V 10~20V±3%±0.1V |
測試條件 |
正向電流:1mA~60A 直流方波 |
脈寬 |
50uS-1mS |
工位 |
20只 |
測試方法 |
器件在特定溫度下存儲一定時間后,在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進(jìn)行測試,測試間 隔時間約100mS |
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