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    廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀

    應用于半導體行業(yè):

    半導體測試設備-電學性能測試-其他

    產品品牌

    易恩電氣

    規(guī)格型號:

    800x800x1800mm

    發(fā)貨期限:

    30天天

    庫       存:

    100

    產       地:

    中國-陜西省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    188.00
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    品牌:易恩電氣

    型號:800x800x1800mm

    所屬系列:半導體測試設備-電學性能測試-其他

     廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀

    ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)

    概述

    向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用場合,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時,初級會產生較大的電流,加上初級電感,器件就會有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機的負載是感性負載,而啟動和堵轉過程中會產生極高的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

    ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設備,能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

    西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng),該設備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口(根據客戶需求)等多個部分。

    規(guī)格/環(huán)境要求

    電壓頻率:50Hz±1Hz

    環(huán)境溫度:15~40℃

    工作濕度:溫度不高于+30℃時,相對濕度5%-80%。

    溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%,無冷凝。

    大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

    海拔高度:不超過3000米。

    尺    寸:800x800x1800mm

    質    量:210KG

    工作電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

    系統(tǒng)功耗:320W

    通信接口:USB RS232

    技術指標

    配置

    測試范圍

    測試參數(shù)

    條件

    范圍

    電壓

    1000V

    IGBTs

    絕緣柵雙極型晶體管

    EAS/單脈沖雪崩能量

    VCE

    20V-4500V

    20-100V±3%±1V

    100-1000V±3%±5V

    1000-4500V±3%±10V

    電流

    200A

    MOSFETs

    MOS場效應管

    EAR/重復脈沖雪崩能量

    Ic

    1mA-200A

    1mA-100mA±3%±0.1mA

    100mA-2A±3%±5mA

    2A-200A±3%±50mA

     

    DIODEs

    二極管

    IAS/單脈沖雪崩電流

    Ea

    1J-2000J

    1J-100J±3%±1J

    100J-500J±3%±5J

    500J-2000J±3%±10J

     

     

    PAS/單脈沖雪崩功率

    IC檢測

    50mV/A(取決于傳感器)

     

     

     

    感性負載

    10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

     

     

     

    重復間隙時間

    1-60s可調(步進1s)重復次數(shù):1-50次

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