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4001027270
符合MIL-STD-750、GJB128、IEC、AEC-Q101等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求。
★適用范圍:
適用于各種封裝形式的二極管、三極管、MOSFET、IGBT等器
件的間歇壽命試驗(yàn)和穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)。
★技術(shù)特點(diǎn):
①在試驗(yàn)過程中實(shí)時(shí)測(cè)量樣品的結(jié)溫,并顯示結(jié)溫差;
②采用模塊化設(shè)計(jì),每個(gè)模塊是一個(gè)獨(dú)立試驗(yàn)單元,有獨(dú)立的
試驗(yàn)腔體,真正做到板與板之間完全獨(dú)立,每個(gè)試驗(yàn)單元的風(fēng)
道互不影響;
③在調(diào)試模式下,無論是開通狀態(tài)還是關(guān)斷狀態(tài)下,均可以每隔
一秒采集一次結(jié)溫Tj,描繪出完整的溫度變化曲線,可以防止在
尋找試驗(yàn)條件時(shí)損壞器件;
④三極管采用共基極試驗(yàn)線路,更能滿足宇航級(jí)產(chǎn)品的試驗(yàn)要求;
⑤設(shè)備可選配K系數(shù)測(cè)試裝置。
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