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    包郵 關(guān)注:524

    單層二硫化鉬

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它

    庫       存:

    10

    產(chǎn)       地:

    全國

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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    品牌:

    型號:

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它


    產(chǎn)品描述
    單層二硫化鉬(1H-MoS?)薄片可從體相二硫化鉬(2H-MoS?)剝離到90nm熱氧化物上制得,尺寸為5μm-40μm。每個樣品至少含有一個單層MoS?,可使用給定的x和y坐標找到。該產(chǎn)品附帶光學(xué)圖像和初步測試結(jié)果。單層MoS?在1.85-1.88eV處具有強烈的PL信號,具有0.04至0.1eV的FWHM,并且拉曼峰值位于386cm -1(E2g面內(nèi))和404cm -1(Alg面外)模式)處。拉曼光譜表征:薄片在386cm-1(E2g-面內(nèi))和404cm-1(A1g面外)有兩個突出的拉曼峰,半峰高寬(FWHM)小于5cm- 1。光致發(fā)光(PL):體相二硫化鉬直接帶隙為1.85eV(670nm)。PL測量顯示該PL峰位于1.85eV(670nm)處并聚友0.04-0.10eV 的 FWHM。光學(xué)顯微鏡圖像:在光學(xué)顯微鏡下檢查每個樣品,并記錄對應(yīng)的xy坐標。
    可能的應(yīng)用:
    電子產(chǎn)品
    傳感器 - 探測器
    光學(xué)
    STM - AFM應(yīng)用
    分子檢測 - 結(jié)合
    超低摩擦研究
    材料科學(xué)與半導(dǎo)體研究

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