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    2英寸氮化鎵自支撐襯底 東莞中鎵

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    產品品牌

    中鎵

    庫       存：

    100

    產       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：中鎵

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵


    2英寸氮化鎵自支撐襯底
    產品型號
    Item
    SF－ncA－Φ50
    		 SF－ncB－Φ50
    尺寸
    Size (mm)
    Φ50.0±0.5
    厚度  
    Thickness (um)
    		 330±25 430±25
    總厚度變化  
    TTV (um)
    ≤15
    彎曲度  
    BOW (um)
    ≤20
    表面粗糙度  
    RMS (nm)
    ≤0.2 (5umx5um)
    晶向  
    Orientation
    C-axis(0001)±0.5°
    導電類型
    Conduction Type
    Un-doped
    N-type
    N-type
    High-doped
    N-type
          電阻率（300K）      Resistivity（Ω.com）
    ≤0.5
    		 ≤0.05  ≤0.01
    孔洞密度  
    Void Density（D≥50um）(pits/cm2)
    ≤2
    位錯密度
    Dislocation Density
    (cm-2)
    		  Grade A Grade B Grade C
    105 
    1～5×106 
    5×106～1×107
    有效面積
    Useable Surface Area
    		 >90%
    包裝 
    Package
    		Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment. 

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