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    包郵 關(guān)注:414

    2英寸氮化稼GaN厚膜襯底

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    產(chǎn)品品牌

    morsensemi

    規(guī)格型號：

    2英寸

    發(fā)貨期限：

    3-7天

    庫       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國-江蘇省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：morsensemi

    型號：2英寸

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

     MORSENSEMI 3英寸GaAs單晶片主要參數(shù)指標

    產(chǎn)品型號Item

    GaN-T-N

    GaN-T-S

    GaN-T-P

    尺寸Dimensions

    Ф 2”

    厚度Thickness

    4 µm, 10~40 µm

    30 µm, 90 µm

    5 µm

    晶體取向Orientation

    C-axis(0001) ± 1°

    導電類型Conduction Type

    N-type

    Semi-Insulating

    P-type

    電阻率Resistivity(300K)

    < 0.05 Ω·cm

    ﹥106 Ω·cm

    < 0.05 Ω·cm

    位錯密度Dislocation Density

    Less than 1x108 cm-2

    襯底結(jié)構(gòu)Substrate structure

    Thick GaN on Sapphire(0001)

    有效面積Useable Surface Area

    > 90%

    拋光Polishing

    Standard: SSP

    Option: DSP

    包裝Package

    Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs or single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

     

     
     

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