服務(wù)熱線
4001027270
MORSENSEMI 3英寸InP單晶片主要參數(shù)指標(biāo)
摻雜
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導(dǎo)電類型
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載流子濃度(cm-3)
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遷移率(cm2V-1s-1)
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電阻(Ω.cm)
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位錯(cuò)(cm-2)
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非摻
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N-型
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≤3×1016
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(3.5-4)×103
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≤1000
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||||
摻S
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N-型
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(0.8-6)×1018
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(1.5-3.5)×103
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≤5000/≤500
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||||
摻Zn
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P-型
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(0.6-6)×1018
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50-70
|
≤5000
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||||
摻Fe
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SI
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>2000
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>1×107
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≤5000
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加工技術(shù)參數(shù)
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規(guī)格
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2英寸
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3英寸
|
4英寸
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直徑(mm)
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50.8±0.5
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76.2±0.5
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100.0±0.5
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厚度(μm)
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350±25
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600±25
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625±25
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晶向
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(100)/(111)±0.5°
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主定位邊長(mm)
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16±2
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22±2
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32.5±2
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副定位邊長(mm)
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8±1
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11±1
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18±1
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平整度TTV(μm)
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<10
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<10
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<15
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彎曲度Bow(μm)
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<10
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<10
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<15
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翹曲度Warp(μm)
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<15
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<15
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<15
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其他產(chǎn)品參數(shù)可按照客戶要求定制
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