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2017年半導(dǎo)體市場資本支出再創(chuàng)歷史新高，同比增2成

發(fā)表于：2017-09-04  作者：dsm1219  關(guān)注度：131

IC Insights預(yù)測，繼今年上半年半導(dǎo)體資本支出大幅增長后，全年半導(dǎo)體資本支出預(yù)期上調(diào)至809億美元，比去年同期增長20%，且高于預(yù)期資本支出53億美元，堪稱歷史最高。

  圖1

  如圖1所示，2017年為資本支出貢獻(xiàn)最大的為晶圓代工廠(28%)和閃存(24%)。隨著2016年第三季度以來DRAM價格的飆升，DRAM制造商將再次加大在這一領(lǐng)域的支出。預(yù)計到2017年，DRAM / SRAM的增長將達(dá)到53%，有望成為今年資本支出增長的最大百分比。經(jīng)分析，大部分資本支出仍在升級技術(shù)方面，但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix分析稱，不單單投入在技術(shù)升級，更花費(fèi)在產(chǎn)能提高上。

  即使是今年支出激增，2017年閃存(190億美元)的資本支出仍將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DRAM / SRAM(130億美元)。IC Insights認(rèn)為，2017年閃存的所有支出都將用于3D NAND工藝技術(shù)改良，包括三星電子在韓國平澤掀起的3D NAND熱浪。

  總體而言，預(yù)計在2016年強(qiáng)勁增長23%之后，閃存的資本支出將在2017年實(shí)現(xiàn)33%的增長。然而，歷史先例表明，資本支出的激增通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和定價疲軟。在未來幾年里，與三星、海力士、微軟、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、SanDisk和武漢新芯/長江存儲技術(shù)有關(guān)的3D NAND閃存容量將有大幅度提升，而且新的中國生產(chǎn)商可能會進(jìn)入市場，IC Insights認(rèn)為未來隨著3D NAND 閃存市場需求的增長加大，也將會面臨更大風(fēng)險

 

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