半導體要聞 硅晶圓 砷化鎵晶圓 芯片 英特爾等綜合新聞
發(fā)表于：2017-08-30 作者：dsm1219 關(guān)注度：556
重慶超硅再傳喜訊通過國內(nèi)8寸硅晶圓制造商認證
重慶超硅再傳喜訊，8寸拋光硅晶圓通過國內(nèi)某8寸晶圓制造廠初步認證，將于8月底開始小批量風險評估。
重慶超硅的規(guī)劃產(chǎn)能是8寸月產(chǎn)25萬片，12寸月產(chǎn)15萬片。
同時公司的12寸晶棒已于2016年拉出，日前晶體質(zhì)量驗證完成，硅晶圓即將送樣認證。據(jù)悉公司的12寸拋光硅晶圓片可以滿足目前尖端的10nm工藝制程要求。
重慶超硅送樣的是COP free(Crystal Originated Particle free無原生缺陷片)，其顆?？刂圃?lt;10
@65nm。以CZ型8寸硅晶圓片為例，因為有原生缺陷，一般的輕摻prime wafer的顆粒只能控制在<10@0.1um（也就是說在8寸晶圓片中有小于10個0.1um大小的顆粒），但是COP free硅晶圓片可以控制在<10
@80nm（也就是說在8寸晶圓片中有小于10個80nm大小的顆粒）。據(jù)業(yè)內(nèi)人士說，CZ型8寸硅晶圓的顆粒極限是<10
@50nm。當然制程越高對顆粒的尺寸要求越嚴格。
湘潭6寸砷化鎵晶圓/射頻器件項目開建年產(chǎn)能7萬片滿足10億手機終端需求
8月25日，湘潭高新區(qū)時變
半導體項目一期開工儀式舉行。
時變半導體項目由湖南時變通訊科技有限公司投資建設，項目總投資15億元，分兩期開發(fā)建設。一期建筑面積13000平方米，內(nèi)含1500平方米的潔凈室，預計今年年底完工并正式投產(chǎn)；二期工程計劃于2018年初開工，建成后可實現(xiàn)就業(yè)1000余人，預計每年將生產(chǎn)約7萬片6寸砷化鎵晶圓和約10億只手機終端專用的可編程寬帶濾波器和雙工器。
遂寧6英寸MOSFET芯片項目一期投產(chǎn)完善遂寧市集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈
8月18日，位于經(jīng)開區(qū)的四川廣義微電子股份有限公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項目一期生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
“‘0.25微米6英寸MOSFET’芯片項目，總投資31.8億元，新征土地219畝，分三期建設。”據(jù)四川廣義微電子股份有限公司董事長王作義介紹，公司將建設6英寸芯片生產(chǎn)線3條和8英寸芯片生產(chǎn)線3條，形成年產(chǎn)96萬片/條的生產(chǎn)能力。
紫光股份半年凈利潤超兩倍解讀戰(zhàn)略部署下的核心驅(qū)動
紫光股份有限公司打造完整而豐富的“云-網(wǎng)-端”產(chǎn)業(yè)鏈正見成效。8月24日晚間，紫光股份發(fā)布2017年中報，報告期內(nèi)，紫光股份實現(xiàn)營業(yè)收入168.77億元，同比增長82.11%；凈利潤為8.06億元，同比增長203.99%；每股收益為0.77元。
英特爾大連工廠預計今年新增固定資產(chǎn)投資 20 億美元以上
位于大連經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的英特爾是大連乃至全國改革開放以來最大的外資項目。英特爾大連工廠于 2007 年奠基，2010 年正式投產(chǎn)。2015 年 10 月，英特爾宣布投資 55 億美元，升級大連工廠為非易失性存儲技術(shù)制造基地。2017 年 3 月，投資 55 億美元的英特爾非易失性存儲器項目第二階段的項目擴建工程也正式啟動，將新增半導體生產(chǎn)設備約 1000 臺（套），將于 2019 年 3 月竣工投產(chǎn)，預計今年新增固定資產(chǎn)投資 20 億美元以上。
通富微電廈門建新廠 火力全開融入國際產(chǎn)業(yè)鏈
通富微電，是排名全球第八、中國大陸前三的封測企業(yè)，是大陸封測企業(yè)中第一個實現(xiàn)12英寸28納米手機處理器后工序全制程大規(guī)模生產(chǎn)的企業(yè)，擁有行業(yè)內(nèi)先進封測技術(shù)，整體技術(shù)能力與國際先進水平基本接軌。
今年6月26日，通富微電與廈門市海滄區(qū)政府簽訂共建集成電路先進封測生產(chǎn)線的戰(zhàn)略合作協(xié)議，不到60天的時間，該項目便完成了項目公司注冊、一期地塊招拍掛、配套設施完善等相關(guān)事項。廈門通富微電項目，總投資70億元，計劃按三期分階段實施；其中，一期用地約100畝，規(guī)劃建設2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SIP（中試線）。目前，該項目正按照今年第三季度開工建設、2018年11月試投產(chǎn)的目標有序推進。
南京德科碼獲TowerJazz強援 缺乏金主未來仍不明朗
2017年8月21日以色列晶圓代工商TowerJazz與德科碼半導體科技(Tacoma Semiconductor Technology Co.)簽署協(xié)議，向德科碼在南京的8寸工廠提供技術(shù)支持以及運營和一體化咨詢，以幫助德科碼進行生產(chǎn)。
根據(jù)最終協(xié)議，TowerJazz將在未來數(shù)年按照重要里程碑向德科碼收取款項。目前德科碼已經(jīng)支付了第一筆款項1800萬美元。協(xié)議同時規(guī)定，從投產(chǎn)開始，TowerJazz將有權(quán)獲得南京德科碼晶圓廠多達50%的產(chǎn)能。
據(jù)悉，南京德科碼晶圓廠計劃每月生產(chǎn)4萬片晶圓，意味著TowerJazz將可望獲取20000片晶圓產(chǎn)能，這將使TowerJazz有更多的制造靈活性，有更多的產(chǎn)能來滿足增長中的全球需求。
看好中國半導體產(chǎn)業(yè)騰飛ASML南京分公司近日開業(yè)
據(jù)南京日報報道，8月18日，全球最大芯片光刻設備市場供貨商阿斯麥（ASML）在南京的分公司正式開業(yè)。作為臺積電的重要合作伙伴及上游供應商，該企業(yè)選擇落戶在南京江北新區(qū)研創(chuàng)園孵鷹大廈。
跟隨臺積電的步伐，ASML在南京的布局在一年前啟動。去年11月考察江北新區(qū)研創(chuàng)園后，被園區(qū)前端的產(chǎn)業(yè)定位、創(chuàng)新的整體設計、完善的軟硬件配套所吸引。今年8月，ASML南京分公司完成了750平米辦公設施搭建，以及服務工程師、裝機工程師、應用工程師等多職能覆蓋的團隊組建。談及ASML未來對中國半導體市場前景的展望，該公司中國區(qū)負責人表示，中國半導體產(chǎn)業(yè)正在騰飛，自去年起，啟動或宣布即將建設的新工廠已超過20個，ASML未來在中國將會有更多的機會，同時他們也非常看好南京江北新區(qū)的發(fā)展環(huán)境。
兆易創(chuàng)新加強在中芯與華力微上投片NOR Flash 漲勢恐有陰霾
在兆易創(chuàng)新有了客戶，但是武漢新芯在有自己的營運考量，也就是旗下 12 寸廠每月 3 萬片的產(chǎn)能，三分之一用來進行邏輯 IC 代工，三分之二才進行 NOR Flash 生產(chǎn)的情況下，武漢新芯既要服務兆易創(chuàng)新，又要服務其他廠商。這使得兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能受到限縮，無法進一步補上市場的缺貨缺口，使得日前 NOR Flash 市場面臨供不應求的情況。
不過，據(jù)了解，兆易創(chuàng)新當前的投片情況已經(jīng)開始有所調(diào)整，也就是藉由在中芯與華力微上的增加投片，增加產(chǎn)能，來滿足市場上的需求。消息人士指出，由于中芯目前的產(chǎn)能利用率較低，兆易創(chuàng)新自 6 月份開始就在中芯開始投片。而且數(shù)量從一開始的每月 2,000 片，提升到當前 8,000 片的數(shù)量，已經(jīng)足成長了 4 倍數(shù)量，數(shù)量可觀。此外，兆易創(chuàng)新跟華力微的合作方面，也已經(jīng)正式開始投片。
大陸首座硅晶圓廠量產(chǎn)在即12寸硅晶圓99%依賴進口
新升半導體是大陸首座十二吋硅晶圓廠，由前中芯國際創(chuàng)辦人張汝京網(wǎng)羅美、中、臺、日、南韓及歐洲技術(shù)團隊創(chuàng)設，雖然張汝京在今年六月辭去新升半導體總經(jīng)理職務，但仍擔任董事。
新升半導體成立于2014年六月，坐落于臨港重裝備區(qū)內(nèi)，占地一五○畝，總投資約人民幣六十八億元，一期總投資約人民幣廿三億元。主力產(chǎn)品十二吋硅晶圓目前已進入第一期量產(chǎn)，雖然初期良率仍低，卻擔負大陸建立自主供應鏈，要解決十二吋晶圓長期依賴進口局面，建立關(guān)鍵材料自主供應。
大陸積極建立自主硅晶圓供應鏈，包括上海新升半導體決定在未來四年達到月產(chǎn)六十萬片十二吋硅晶圓規(guī)模。
江豐電子16納米節(jié)點已實現(xiàn)批量供貨 半年凈利潤增長34.23%
寧波江豐電子材料股份有限公司（以下簡稱“江豐電子”）的超高純金屬濺射靶材產(chǎn)品已經(jīng)應用于世界著名半導體廠商的最先端制造工藝，在16納米技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)批量供貨，同時還滿足了國內(nèi)廠商28納米技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)需求，江豐電子也已經(jīng)成為國內(nèi)最大的半導體芯片用高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)商，目前生產(chǎn)的鉭靶主要用于超大規(guī)模集成電路領(lǐng)域。
8月20日，江豐電子發(fā)布2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實現(xiàn)營收2.50億元，同比增長32.46%；歸屬于上市公司股東的凈利潤2058.40萬元，同比增長34.23%。
居龍SEMI為中國半導體產(chǎn)業(yè)走國際化發(fā)展之路助力
居龍在演講中表示：隨著近年來中國半導體相關(guān)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，中國已經(jīng)成為全球半導體產(chǎn)業(yè)最大的需求區(qū)，2016年達到44.2%，預計到2020年將達到45.8%。為此，今年以來各大市場咨詢機構(gòu)不斷上調(diào)2017年全球?qū)w收入增長率預測：
居龍指出，然而中國市場的產(chǎn)能嚴重不足，大約只能貢獻5%的產(chǎn)能，這里還包括了外企在中國設立的生產(chǎn)廠，如三星在西安的生產(chǎn)基地。
居龍分析，半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為美第二大出口產(chǎn)品，僅次于飛機，實際控制產(chǎn)值超過2000億美元，超過了電腦、電信等其他主要電子產(chǎn)品。從全球范圍來看，美國貢獻了48%的半導體產(chǎn)能，但其需求僅為13%。反觀中國則是最大的和增長最快的市場。在全球半導體需求中，中國市場需求雄居全球第一的位置，2016年約44.2%，預計到2020年將增長至45.8%。
2017年全球整體IC市場規(guī)模年增16% 存儲器車用IC成長幅度最高
據(jù)調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新公布預估，在33類IC產(chǎn)品中，2017年計有29類產(chǎn)品市場規(guī)模會出現(xiàn)年增，并且其中有10類產(chǎn)品市場規(guī)模年增幅度將會大于(等于)10%。僅顯示器驅(qū)動芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及閘陣列(Gate Array)等4類產(chǎn)品規(guī)模會出現(xiàn)年減。
近5年全球DRAM市場規(guī)模每年成長幅度呈現(xiàn)強烈波動。2013與2014年DRAM規(guī)模分別年增32%與34%，居各當年各類IC產(chǎn)品規(guī)模年增幅度之首。2015與2016年DRAM規(guī)模分別年減3%與8%，在各當年IC產(chǎn)品年增率的排名中，也分別跌至第18與26名。然而，預估2017年DRAM又會以年增55%，再度排名第一。
017年市場規(guī)模年增幅度最高的IC產(chǎn)品是DRAM，達55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售價(ASP)強勁攀升，因此DRAM產(chǎn)品市場規(guī)模年增幅度會重新躍居各類IC產(chǎn)品之冠，并不意外。
在DRAM、汽車特用邏輯與模擬芯片、NAND Flash，以及工業(yè)∕其他特用邏輯芯片等市場規(guī)模大幅成長的推動下，預估2017年全球整體IC市場規(guī)模將會年增16%。
高通7納米世代重回臺積電懷抱 雙方聯(lián)手轉(zhuǎn)進FinFET制程
高通技術(shù)授權(quán)事業(yè)工程技術(shù)副總Sudeepto Roy表示，與臺積電近10年來的合作從65納米開始，會一直走到FinFET制程世代。業(yè)界對此解讀為高通在7納米世代將重回臺積電生產(chǎn)，在延續(xù)摩爾定律的艱鉅道路上，臺積電絕對是高通更值得信任的合作伙伴。
高通與三星的合作橫跨兩個半導體制程世代，從16納米一路到10納米制程，近期高通在7納米制程重回臺積電生產(chǎn)的傳言甚囂塵上，業(yè)界分為兩派說法，一是高通手機應用處理器(AP)訂單將采用臺積電的7納米制程生產(chǎn)，另一派說法則是高通將先釋出基頻(baseband)芯片給臺積電的7納米生產(chǎn)，但最關(guān)鍵的AP晶圓代工，高通仍在臺積電與三星之間考慮。
高通和臺積電近10年來的合作軌跡從2006年一起開發(fā)65納米制程，2007年開發(fā)45納米制程，延續(xù)到2010年合作28納米制程，然隨著半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進至FinFET制程世代之后，高通與臺積電的技術(shù)合作表面上看似斷了線，因為當年在關(guān)鍵的16/14納米制程抉擇點上，高通礙于眾多考量，選擇采用三星電子(Samsung Electronics)14納米制程，而非臺積電16納米制程。
第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)漲
DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)，但在轉(zhuǎn)換期間所帶來的產(chǎn)能損失，已持續(xù)造成整體供需失衡，進而使合約價持續(xù)上揚，預計今年整年仍將處于供不應求的狀態(tài)，預期要到2018年隨著各原廠在64/72層3D-NAND制程成熟后，才能緩解目前缺貨局面。
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。
搶當晶圓代工第二 三星華城18號線提前動工
數(shù)據(jù)顯示，2016年三星晶圓代工營收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。
BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報導，三星晶圓代工共有三個廠區(qū)，S1廠在韓國器興(Giheung)、S2廠在美國德州奧斯汀、S3在韓國華城(Hwaseong)。S3預定今年底啟用，將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。
韓媒BusinessKorea 19日報導，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建筑面積為40,536平方公尺(約1.2萬坪)，總樓面面積為298,114平方公尺(約9萬坪)。投資金額為6萬億韓元(54億美元)，預定2019年下半完工，生產(chǎn)存儲器以外的半導體產(chǎn)品。
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