3D NAND、FinFET開啟蝕刻商機(jī)

發(fā)表于：2017-09-25  作者：dsm1219  關(guān)注度：120

全球3D NAND、7/10納米先進(jìn)制程、大陸崛起等三股半導(dǎo)體勢(shì)力搶著擴(kuò)建新產(chǎn)能，尤其是3D NAND和FinFET制程對(duì)于微影、蝕刻、擴(kuò)散、薄膜等設(shè)備需求大幅攀升，素有“軍火供應(yīng)商”之稱半導(dǎo)體設(shè)備廠，處于流年正旺的軌道上，日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠東京威力科創(chuàng)(TEL)蓄勢(shì)待發(fā)，看好2020年在全球蝕刻設(shè)備市占率要攀升至30%。 

    3D NAND、FinFET、多重曝光對(duì)蝕刻機(jī)臺(tái)需求大增 

    近幾年半導(dǎo)體大廠和設(shè)備商的生態(tài)之間，出現(xiàn)不少變化，一方是新興半導(dǎo)體技術(shù)包括鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)、多重曝光(Multiple Patterning)、晶圓級(jí)封裝(WaferLevel Package)、3D NAND技術(shù)等抬頭，需要的設(shè)備系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。 

    在設(shè)備商生態(tài)上，全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷大整并，大型設(shè)備商借由不斷購(gòu)并的方式，讓自己的經(jīng)濟(jì)規(guī)模更為壯大，增強(qiáng)議價(jià)能力，但這也擠壓了小型設(shè)備商的生存空間。 

    半導(dǎo)體業(yè)者指出，2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND技術(shù)后，晶圓堆疊層數(shù)不斷攀升，從32/48層到今年主流的64/72層堆疊技術(shù)，2018、2019年將進(jìn)入96層的3D NAND堆疊，而每堆疊一層就需要更多蝕刻，因此，3D NAND技術(shù)時(shí)代的開啟，帶旺蝕刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)。 

    再者，臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)力拚7/10納米FinFET制程技術(shù)世代，在極紫光外(EUV)微影技術(shù)大量導(dǎo)入商用化之前，半導(dǎo)體大廠是采用多重曝光的方式進(jìn)行，同樣也會(huì)增加蝕刻機(jī)臺(tái)的使用量。 

    TEL有兩大產(chǎn)品線，半導(dǎo)體設(shè)備制造占90%，平面顯示器制造占10%，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的強(qiáng)項(xiàng)包括光阻涂布機(jī)(Clean Track)市占率90%、蝕刻機(jī)臺(tái)市占23%，其中在Oxide蝕刻獨(dú)占鰲頭、薄膜沉積(Thin Film)市占59%、清洗(Clean System)市占20%。 

    TEL的“Cash Cow”也是起家產(chǎn)品的是光阻涂布機(jī)(Clean Track)。該產(chǎn)品線在全球市占率高達(dá)90%，占公司營(yíng)收高達(dá)30%，目前已經(jīng)打入全球各大半導(dǎo)體廠，針對(duì)不同光阻需求有不同的產(chǎn)品機(jī)種應(yīng)對(duì)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)是平坦技術(shù)要求、穩(wěn)定性、解決問題能力等，讓TEL在該產(chǎn)品領(lǐng)域上，長(zhǎng)年維持超高市占率。 

    TEL擅長(zhǎng)Oxide蝕刻機(jī)臺(tái)　通吃后段制程領(lǐng)域 

    再者，TEL另一個(gè)強(qiáng)項(xiàng)是蝕刻機(jī)臺(tái)，在全球蝕刻系統(tǒng)領(lǐng)域的市占率約23%，還有很大的成長(zhǎng)空間，TEL目標(biāo)是2020年市占率要擴(kuò)大至30%。 

    TEL強(qiáng)項(xiàng)在于Oxide蝕刻，尤其在后段制程領(lǐng)域的占有率十分高，與應(yīng)用材料(Applied Materials)、科林研發(fā)(Lam Research)擅長(zhǎng)的前段Silicon/Poly/metal蝕刻是互有專精技術(shù)。 

    隨著半導(dǎo)體多重曝光和未來(lái)EUV商機(jī)的帶動(dòng)下，對(duì)于蝕刻系統(tǒng)需求大增，都是TEL看好的潛在商機(jī)，以2018年來(lái)看，TEL的蝕刻機(jī)臺(tái)訂單已經(jīng)滿載。 

    全球蝕刻機(jī)臺(tái)市場(chǎng)中，市占率第一是科林研發(fā)，占有率約50%，其次是TEL約23%、應(yīng)材約10%。 

    蝕刻機(jī)臺(tái)領(lǐng)域因?yàn)?D NAND大量蓋新廠、啟動(dòng)新產(chǎn)能的刺激下，近幾年幾乎成為半導(dǎo)體設(shè)備商成長(zhǎng)的動(dòng)能，而該領(lǐng)域基于其不可或缺性，市場(chǎng)一直處于高度競(jìng)爭(zhēng)，且專利訴訟案頻傳。 

    蝕刻市場(chǎng)十分競(jìng)爭(zhēng)　龍頭廠科林屢在專利戰(zhàn)、營(yíng)業(yè)秘密案中敗訴 

    科林研發(fā)雖然是蝕刻市場(chǎng)的龍頭供應(yīng)商，但日前卻侵犯比其規(guī)模小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手供應(yīng)商中微半導(dǎo)體的商業(yè)機(jī)密。 

    2012年臺(tái)灣智能財(cái)產(chǎn)法院在科林研發(fā)與中微半導(dǎo)體的侵權(quán)專利訴訟中，宣布科林研發(fā)的專利由于缺乏新穎性和創(chuàng)造性而無(wú)效，無(wú)法構(gòu)成指控中微專利侵權(quán)的依據(jù)，最后到臺(tái)灣高等法院是中微獲勝。 

    同時(shí)，中微半導(dǎo)體也在2010年12月向上海法院提起訴訟，主張科林研發(fā)侵犯其商業(yè)秘密，該案經(jīng)過7年，2017年4月上海法院宣判科林研發(fā)侵犯中微的商業(yè)秘密案中，一審獲得勝訴。 

    關(guān)鍵在于，科林研發(fā)在打?qū)＠謾?quán)官司時(shí)，要求在半導(dǎo)體客戶端對(duì)中微的機(jī)臺(tái)系統(tǒng)進(jìn)行證據(jù)保全時(shí)，大量拍攝與專利侵權(quán)案無(wú)關(guān)的中微刻蝕機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)，因此，中微主張科林研發(fā)以非法方式，大量獲取中微機(jī)密的技術(shù)文件和機(jī)密的反應(yīng)腔內(nèi)部照片，經(jīng)歷7年訴訟，2017年4月宣判科林研發(fā)敗訴。 

    TEL從貿(mào)易商起家　躋身全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠并走出日本 

    TEL成立于1963年，最早是電子產(chǎn)品和制造設(shè)備的貿(mào)易代理，1980年代起，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始蓬勃發(fā)展，日本半導(dǎo)體要求TEL自己生產(chǎn)設(shè)備，有了當(dāng)時(shí)的機(jī)會(huì)，TEL逐漸從貿(mào)易商逐漸轉(zhuǎn)型為半導(dǎo)體設(shè)備制造商。 

    TEL臺(tái)灣成立于1996年，沿著臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史的軌跡，彼此見證與成長(zhǎng)。 

    TEL指出，1995~1996年半導(dǎo)體生產(chǎn)重鎮(zhèn)開始轉(zhuǎn)移至南韓、臺(tái)灣、新加坡等地，TEL也借著海外客戶崛起的機(jī)會(huì)，從一家日本本土化的設(shè)備商轉(zhuǎn)型為全球國(guó)際化的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，TEL臺(tái)灣分公司成立至今剛好滿21年，員工人數(shù)從草創(chuàng)時(shí)的不到10人，現(xiàn)在已壯大到500人規(guī)模。 

    TEL進(jìn)一步指出，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、人工智能(AI)時(shí)代，也期許自己在全球的布局和發(fā)展上，能進(jìn)入全新里程碑，期許未來(lái)2~3年內(nèi)，公司營(yíng)收挑戰(zhàn)1兆日?qǐng)A。