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Gems™ 壓力變送器提供杰出的性能和價(jià)值!
Gems 壓力產(chǎn)品滿足您對優(yōu)越壓力測量性能和長期可靠性的應(yīng)用需求。從真空到 10,000 psig (-1 ~ 689 bar)，我們提供您多種技術(shù)、最豐富的工業(yè)選型。電容傳感器是大批量使用場合的理想選擇；濺射薄膜技術(shù)是您可以獲得的最高精度的壓力傳感器，同時(shí)我們也提供其他技術(shù)的傳感器。豐富的類型滿足以下應(yīng)用。
典型應(yīng)用
Psibar® CVD 型 壓力變送器
化學(xué)氣相沉積工藝將多晶硅層以分子級鍵合于不銹鋼膜片上，使得傳感器具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性表現(xiàn)。批量化半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝帶來了價(jià)格合理而性能極佳的多晶硅應(yīng)變式壓力核心元件。CVD 結(jié)構(gòu)提供了具有競爭力的價(jià)格和性能, 使我們的壓力變送器在OEM 應(yīng)用中廣受歡迎。
濺射薄膜型 壓力變送器
濺射薄膜沉積工藝造就了優(yōu)秀的非線性、遲滯和重復(fù)性性能。精度高于 0.08% 滿量程，長期穩(wěn)定性最低每年 0.06% 滿量程。優(yōu)良性能使我們的壓力變送器適用于最苛刻的儀器。
電容型 壓力變送器
Gems 生產(chǎn)針對 OEM 特殊應(yīng)用的多種量程的電容式壓力傳感器。根據(jù)兩個(gè)表面間電容的變化，Gems 變送器可以檢測極低的壓力或真空。堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)適合于各種不同應(yīng)用場合。該類型壓力變送器采用先進(jìn)的 ASIC 芯片, 具有極高的性價(jià)比.
MMS 型 壓力變送器
采用微加工硅膜片檢測壓力的變化.硅膜片由充油的 316SS 隔離膜片保護(hù)，并與過程介質(zhì)隔離. 緊湊型尺寸的MMS 傳感器采用成熟的半導(dǎo)體技術(shù),具有高過壓、非線性小、耐熱沖擊、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。
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