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該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測(cè)試而設(shè)計(jì)的。它通過測(cè)量每道工序前后基片面形的變化(變形)來測(cè)量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布,從而計(jì)算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制,為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測(cè)量Si、Ge、CaAs等半導(dǎo)體材料的基片平整度,以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
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