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熱門產(chǎn)品

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我們於2006年5月開始生產(chǎn)多晶硅錠。我們研發(fā)出了一系列加工工藝來縮減生產(chǎn)流程中每個環(huán)節(jié)的生產(chǎn)成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產(chǎn)尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環(huán)利用料漿和增加產(chǎn)能等等。

賽維LDK太陽能采用最先進的大容量（裝填容量最高800公斤）多晶熔爐設(shè)備，不僅使生產(chǎn)極具成本效益，而且可達到業(yè)界最高質(zhì)量標準。通過嚴格的檢查標準之后，利用鋼絲方邊刨床對多晶硅錠進行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術(shù)，通過鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構(gòu)成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過專有清洗工藝來清洗和干燥硅片，并進行檢查以確保達到客戶嚴格的特性和表面質(zhì)量要求。最后，檢查硅片質(zhì)量，封裝成箱并發(fā)往客戶或本公司電池生產(chǎn)廠。

技術(shù)規(guī)格

多晶硅片
156 mm x 156 mm

一般特征	參數(shù)
產(chǎn)品	多晶硅片
晶體生長方法	定向凝固
導電類型	P 型
摻雜劑	硼
電阻率	1-3 Ω.cm
氧含量	≤ 8 × 10¹⁷atoms/cm³
碳含量	≤ 4 × 10¹⁷atoms/cm³
結(jié)構(gòu)特征	參數(shù)
寬度	156.0 ± 0.5 mm
倒角對角線	1.5 ± 0.5 mm
倒角角度	45° ± 10°
厚度	180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
機械特性	參數(shù)
總厚度變化	≤ 40 μm
彎曲度	≤ 70 μm
表面	無缺陷
鋸痕	≤ 15 μm

技術(shù)規(guī)格

多晶硅片
125 mm x 125 mm

一般特征	參數(shù)
產(chǎn)品	多晶硅片
晶體生長方法	定向凝固
導電類型	P 型
摻雜劑	硼
電阻率	1-3 Ω.cm
氧含量	≤ 8 × 10¹⁷atoms/cm³
碳含量	≤ 4 × 10¹⁷atoms/cm³
結(jié)構(gòu)特征	參數(shù)
寬度	125.0 ± 0.5 mm
倒角對角線	1.5 ± 0.5 mm
倒角角度	45° ± 10°
厚度	180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
機械特性	參數(shù)
總厚度變化	≤ 40 μm
彎曲度	≤ 70 μm
表面拋光	無缺陷
鋸痕	≤ 15 μm

賽維LDK太陽能多晶硅片

應(yīng)用于半導體行業(yè)：

產(chǎn)品品牌

庫存：

產(chǎn) 地：

數(shù) 量：

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