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    4英寸單拋雙拋硅片N型P型鍍膜外延襯底測試基底紅外輻射科研專用

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-硅襯底

    庫       存：

    99999

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

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    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-硅襯底


          4英寸  IC級半導(dǎo)體硅片(Prime/Test grade)

     

      

            用       途

    		 同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體、半導(dǎo)體光刻.
            產(chǎn)品尺寸

    100mm/4" 
            表面處理 SSP單面拋光、DSP雙面拋光、E/E雙面刻蝕、Lapping雙面研磨、SiO2/EPI/SOI等   (具體要求詳談)
            生長方式    CZ直拉、FZ區(qū)熔  (具體要求詳談)   
            厚       度  100-1000μm   (具體要求詳談)
            摻雜類型 P /硼 、N/砷、磷、銻   (具體要求詳談)
            晶       向 <111>/<100>   (具體要求詳談)
            電  阻  率 0.0001-10000(Ω·cm)  (具體要求詳談)

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