目前全球95%以上的晶硅電池采用P型摻硼晶硅制作，光照10小時(shí)后會(huì)產(chǎn)生5--8%的不可恢復(fù)效率衰減，該難題長期困擾國內(nèi)外光伏界。用鎵代替硼可以克服光衰。但鎵的分凝系數(shù)非常小，K0=0.08（而硼在硅中的分凝系數(shù)為0.8），常規(guī)CZ法生長的摻鎵硅單晶棒頭部與尾部的電阻率相差甚大（達(dá)50-60倍），合格品僅占很小部分，故國內(nèi)外均不能實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。晶龍集團(tuán)將摻鎵硅單晶電阻率在不增加成本的前提下成功地控制在和摻硼一樣的水平。實(shí)現(xiàn)了晶體100%的利用并抑制了95%以上的光衰。獲國家發(fā)明專利和美國發(fā)明專利。平均消除6%的光衰，相當(dāng)于效率提高一個(gè)百分點(diǎn)，成本下降6%，并已經(jīng)產(chǎn)生巨大經(jīng)濟(jì)效益。
該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化示范推廣已列入十二五國家“863”課題支持。
摻鎵單晶硅片特性
摻鎵單晶硅片與摻硼單晶硅片制成電池后光致衰減對比
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