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    硅/襯底二硫化鉬（MoS2?）

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-硅襯底

    庫       存：

    10

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-硅襯底


    產(chǎn)品描述
    單層MoS2全面覆蓋在SiO2 / Si襯底上。樣品尺寸為1cm，整個樣品表面含有單層的MoS2片材。合成的單層MoS2是高度發(fā)光的，拉曼光譜也證實了其單層特性。相比于全區(qū)域覆蓋在藍寶石的MoS2 ，全區(qū)域覆蓋在SiO2 / Si的MoS2顯示出更高PL強度。 
    示例屬性
    樣品尺寸
    1cm x 1cm正方形
    襯底類型
    熱氧化物（SiO2 / Si）襯底
    覆蓋率
    全覆蓋單層
    電學性能
    1.85 eV直接帶隙半導體
    晶體結構
    六角相
    原胞參數(shù)
    a = b = 0.313nm，c = 1.230nm，α=β= 90°，γ= 120°
    生產(chǎn)方式
    常壓化學氣相沉積（APCVD）
    表征方法
    拉曼，光致發(fā)光，TEM，EDS
    規(guī)范
    · 識別。單層MoS2 100％全覆蓋，均勻覆蓋在SiO2/Si襯底上。
    · 物理尺寸。一厘米大小?？筛鶕?jù)要求提供高達2英寸的晶圓尺寸。
    · 平滑度。表面粗糙度<0.2 nm。
    · 均勻性。高度均勻的表面形態(tài)。MoS2單層均勻地覆蓋SiO2 / Si襯底。
    · 純度。通過納米SIMS測量確定純度99.9995％。
    · 可靠性。可重復拉曼和光致發(fā)光響應。
    · 結晶度。高結晶質量，拉曼響應和與單晶單層薄片相當?shù)墓庵掳l(fā)光。
    · 基質。SiO2 / Si襯底。但我們的研發(fā)團隊可以將MoS2單層轉移到各種基材（包括PET和石英）上，而不會對材料質量造成重大影響。
    · 支持。我們提供全面的技術支持，并保證您對我們對客戶服務滿意
    · 缺陷分布。MoS2單層不含有意的摻雜劑或缺陷。然而，我們的技術人員可以使用轟炸技術產(chǎn)生有缺陷的MoS2。

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