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    2英寸磷化鎵襯底晶片

    應(yīng)用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-磷化鎵

    庫       存：

    200

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥800.00
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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-磷化鎵


    GaP晶體的基本參數(shù)

     

     晶體結(jié)構(gòu)  立方         a =5.4505 Å
     生長方法  提拉法
     密度  4.13  g/cm3
     熔點  1480  oC1
     熱膨脹系數(shù)  5.3 x10-6  / oC
     摻雜物質(zhì)  摻S              不摻雜
     方向  <111>or<100>     <100>or<111>
     類型  N                 N
     熱傳導率 2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3
     電阻率W.cm ~0.03             ~0.3
     EPD (cm-2 )  < 3x105            < 3x105

     

    晶向<100>,<111>

     

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