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    4英寸氧化硅片單面拋光不同氧化厚度

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-硅襯底

    庫       存：

    500

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥160.00
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    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-硅襯底


    我公司可為客戶訂制不同參數(shù)的二氧化硅氧化片，質(zhì)量優(yōu)良；氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數(shù)均按照國標(biāo)執(zhí)行。另:我司代理LPCVD PECVD 鍍膜氧化等工序歡迎來電咨詢及加工；

        熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度。這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
        應(yīng)用范圍：
    1，刻蝕率測定
    2，金屬打線測試
    3，金屬晶圓
    4，電性絕緣層

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