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    2英寸砷化鎵襯底晶片N型P型本征片

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-砷化鎵

    庫       存：

    500

    產       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥290.00
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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-砷化鎵


    砷化鎵（gallium arsenide），化學式GaAs，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，由砷和鎵兩種元素化合而成，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬，是當代國際公認的繼"硅（Silicon）"之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

    在光電子工業(yè)領域應用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LD（激光器）、LED（發(fā)光二極管）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等；
    在微電子工業(yè)領域應用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導體場效應管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質結雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。

    主要涉及高端軍事電子應用、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。作為重要的半導體材料，GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗，因此在手機通訊、局域無線網、GPS和汽車雷達等領域中占主導地位。

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