東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司

    一、公司成立 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京設(shè)立面積達(dá)1000平方米的大型研發(fā)中心，為中國(guó)國(guó)內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企 業(yè)。 二、人才隊(duì)伍 企業(yè)以北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心為技術(shù)依托，引進(jìn)國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀的技術(shù)及管理團(tuán)隊(duì)， 2010年獲建博士后工作站，截至2016年有院士1人，教授級(jí)別人員共6人，博士13人，碩士12人，擁有...