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數(shù)字游戲不掩性能提升!三星推出“7nm”和“11nm”半導(dǎo)體工藝

發(fā)表于:2017-09-12  作者:dsm1219  關(guān)注度:123

原標(biāo)題:數(shù)字游戲不掩性能提升!三星推出“7nm”和“11nm”半導(dǎo)體工藝

  【PConline 資訊】隨著技術(shù)的進(jìn)步,芯片這東西,體積越小,也代表著性能越好。而講到芯片,三星 這些年受惠于高通驍龍芯片、AMD Ryzen/Vega/Polaris的成功,三星的代工生意風(fēng)生水起、日進(jìn)斗金,二季度收入超越Intel,也使其成為了全球第一大半導(dǎo)體公司。

  作為全球第一大半導(dǎo)體公司,三星制程工藝也走在行業(yè)的前列。而就在今天,三星宣布,新加入11nm LPP工藝!這明顯是三星對(duì)打臺(tái)積電12nm FinFET推出的的芯片,只不過(guò),不論是三星的11nm,還是臺(tái)積電的12nm,卻都只是兩家擅自混亂地給制程命名(三星10nm=Intel 14nm)。

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  三星11nm(改良后的14nm LPP馬甲)芯片性能提升15%,單位面積功耗降低了10%。三星表示,10nm用于旗艦手機(jī),11nm用于中高端,形成差異化,預(yù)計(jì)2018年上半年在市場(chǎng)投放。

  與此同時(shí),三星也成為了市場(chǎng)上最先確認(rèn)7nm的企業(yè),其7nm LPP定于2018下半年量產(chǎn),采用EUV極紫外光刻技術(shù)。EUV雖然困難重重,但ASML已經(jīng)開(kāi)始出貨定型的光刻機(jī)。三星也表示,從2014年開(kāi)始,基于EUV處理了200000片晶圓,目前在256Mb SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)良率已經(jīng)達(dá)到了80%。

關(guān)于11nm和7nm更進(jìn)一步的細(xì)節(jié),三星定于9月15日在東京舉辦的半導(dǎo)體會(huì)議上揭示,未來(lái)的技術(shù)路線圖也會(huì)更新。

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