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808nm LD芯片 200mw
  • 808nm LD芯片 200mw
  • l產(chǎn)品圖形說明(1)尺寸: 250*550*135m(2)器件:激光二極管芯片(3)結(jié)構(gòu):量子阱結(jié)構(gòu)l產(chǎn)品性能參數(shù)(Tc=25℃)參數(shù)符號工作指標(biāo)單位功率
  • 2017-07-24 13:48  [中國山西省]
  •    郭  [未核實(shí)]
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