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     碳化硅功率模塊的優(yōu)點(diǎn) Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結(jié)合了成熟的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊和封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。得益于多種封裝優(yōu)化，碳化硅的各種優(yōu)點(diǎn)得以充分利用。 碳化硅功率模塊換向電感降低可以實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)。更高的開(kāi)關(guān)速度可以轉(zhuǎn)換成更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過(guò)濾器 元件。同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。 ...