一、公司成立 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月,總部設(shè)于廣東東莞,總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣,總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米,并在北京設(shè)立面積達(dá)1000平方米的大型研發(fā)中心,為中國國內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵(GaN)襯底材料的企 業(yè)。二、人才隊(duì)伍
企業(yè)以北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心為技術(shù)依托,引進(jìn)國內(nèi)外優(yōu)秀的技術(shù)及管理團(tuán)隊(duì), 2010年獲建博士后工作站,截至2016年有院士1人,教授級(jí)別人員共6人,博士13人,碩士12人,擁有先進(jìn)的技術(shù)及管理優(yōu)勢。 三、公司資質(zhì)和榮譽(yù) 2009年成立北大中鎵半導(dǎo)體研究中心;同年被廣東省人民政府批準(zhǔn)的首批創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì);成為廣東省現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)500強(qiáng)項(xiàng)目;被廣東省科學(xué)技術(shù)廳評(píng)為“國際科技合作基地”。 2011年被全國高科技質(zhì)量監(jiān)督廣東委員會(huì)評(píng)為“廣東省科技創(chuàng)新 質(zhì)量管理先進(jìn)單位”;同年被廣東省科學(xué)技術(shù)廳評(píng)為“廣東省民營科技企業(yè)”、被廣東省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)評(píng)為“廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)骨干企業(yè)”。 同時(shí)2015年10月,公司被科學(xué)技術(shù)部認(rèn)定為“國家國際科技合作基地”。入選《廣東經(jīng)濟(jì)》理事學(xué)會(huì)理事單位、東莞市電子元件協(xié)會(huì)常務(wù)副會(huì)長單位、東莞電子信息產(chǎn)業(yè) 數(shù)碼產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副會(huì)長單位、東莞市半導(dǎo)體行業(yè)副會(huì)長單位、CSA國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成員單位等。 本企業(yè)創(chuàng)造性地采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法,研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括:(1)GaN半導(dǎo)體襯底材料,包括GaN襯底,GaN/ Al2O3復(fù)合襯底,圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS);(2)生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備,如激光剝離設(shè)備、HVPE設(shè)備等。對(duì)相應(yīng)技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),截止2016年3月,中鎵公司共擁有專利97項(xiàng),其中已授權(quán)專利46項(xiàng)(包括發(fā)明專利27項(xiàng),實(shí)用新型17項(xiàng),外觀設(shè)計(jì)1項(xiàng)),已受理專利52項(xiàng)。申請(qǐng)PCT國際發(fā)明專利5項(xiàng),其中2項(xiàng)已獲得美國、歐洲、日本、韓國等國家和地區(qū)的授權(quán),相關(guān)專利技術(shù)處于國際先進(jìn)水平。使本企業(yè)在國內(nèi)國際競爭中處于一個(gè)優(yōu)勢位置。 目前,公司已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵(GaN)襯底材料生產(chǎn)線,制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底,并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。 相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)乃至國際領(lǐng)先水平,形成世界一流的國內(nèi)最大型的襯底材料及半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)基地。企業(yè)擬以襯底核心技術(shù)為基礎(chǔ),全面進(jìn)入氮化物半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)完整的產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合結(jié)構(gòu)發(fā)展,打造國際一流的大型半導(dǎo)體材料科研生產(chǎn)基地,逐步推進(jìn)形成達(dá)百億產(chǎn)值的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。 六、公司愿景 本公司專注于生產(chǎn)高品質(zhì)的半導(dǎo)體襯底材料、相關(guān)先進(jìn)設(shè)備的高精密制造,竭誠為國內(nèi)外廣大用戶提供最優(yōu)質(zhì)的服務(wù),立足中國,放眼全球,竭力為中國乃至世界半導(dǎo)體行業(yè)帶來一個(gè)新的發(fā)展契機(jī)。 |
公司名稱: | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 | 公司類型: | 企業(yè)單位 (制造商,貿(mào)易商) |
所 在 地: | 中國/廣東省 | 公司規(guī)模: | 100-499人 |
注冊(cè)資本: | 1000萬人民幣 | 注冊(cè)年份: | 2000 |
資料認(rèn)證: | ||
經(jīng)營模式: | 制造商,貿(mào)易商 | |
經(jīng)營范圍: | (1)GaN半導(dǎo)體襯底材料,包括GaN襯底,GaN/ Al2O3復(fù)合襯底,圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS);(2)生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備,如激光剝離設(shè)備、HVPE設(shè)備等。 | |
主營行業(yè): |
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